چکیده : در این مقاله ، مدار جدیدی برای درایو گیت ترانزیستورهای قدرت ( MOSFET/IGBT) ارائه گردیده است . در این مدار برای ایجاد ایزولاسیون بین ترانزیستور قدرت و بخش کنترل کننده ، از یک ترانسفورمر مغناطیسی بسیار کوچک استفاده گردیده که ضمن کاستن از فضای مورد نیاز برای پیاده سازی مدار درایو ، سبب دستیابی به سطح پالس مثبت و منفی قرینه و مستقل از ضریب وظیفه سیگنال کنترلی می گردد. نتایج حاصل از شبیه سازی به همراه نتایج عملی یک نمونه طراحی شده ارائه گردیده که مبین عملکرد رضایت بخش مدار درایو پیشنهادی می باشد.
مداري جدید برای درایو گیت ترانزیستورهای قدرت ( MOSFET/IGBT)
اشتراک گذاری
دیدگاهتان را بنویسید
برای نوشتن دیدگاه باید وارد بشوید.