امروز برابر است با :7 اردیبهشت 1403

طزز کار ترانزیستور اثر میدانی ( FET )

همانگونه که از نام این المان مشخص است، پایه کنترلی آن جریانی مصرف نمی کند و تنها با اعامل ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه هادی ، جریان عبوری از  FET  کنترل می شود. به همین دلیل ورودی این مدار هیچ کونه اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد.


فت دارای سه پایه با نهامهای درِین D – سورس S  و گیت G  است که پایه گیت ، جریان عبوری از درین به سورس را کنترل می نماید. فت ها دارای دو نوع N  کانال و P  کانال هستند. در  فت نوع N  کانال زمانی که گیت نسبت به سورس مثبت باشد جریان از درین به سورس عبور می کند . FET ها معمولاً بسیار حساس بوده و حتی با الکتریسیته ساکن  بدن نیز تحریک می گردند. به همین دلیل نسبت به نویز بسیار حساس هستند.


نوع دیگر ترانزیستورهای اثر میدانی MOSFET  ها هستند ( ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلزی نیمه هادی – Metal-Oxide Semiconductor Field Efect Transistor  )  یکی از اساسی ترین مزیت های ماسفت ها نویز کمتر آنها در مدار است.

ترانزیستور اثر میدانی  - FET
ترانزیستور اثر میدانی ( فت ) – FET

 


فت ها در ساخت فرستنده باند اف ام رادیو نیز کاربرد فراوانی دارند. برای تست کردن فت کانال N  با مالتی متر ، نخست پایه گیت را پیدا می کنیم. یعنی پایه ای که نسبت به دو پایه دیگر در یک جهت مقداری رسانایی دارد و در جهت دیگر مقاومت آن بی نهایت است. معمولاً مقاومت بین پایه درین و گیت از مقاومت پایه درین و سورس بیشتر است که از این طریق می توان پایه درین را از سورس تشخیص داد.


 





geesu.blogfa.com

اشتراک گذاری