مداری جدید برای درایو گیت ترانزیستورهای قدرت ( MOSFET/IGBT)

0
689

چکیده : در این مقاله ، مدار جدیدی برای درایو گیت ترانزیستورهای قدرت ( MOSFET/IGBT) ارائه گردیده است . در این مدار برای ایجاد ایزولاسیون بین ترانزیستور قدرت و بخش کنترل کننده ، از یک ترانسفورمر مغناطیسی بسیار کوچک استفاده گردیده که ضمن کاستن از فضای مورد نیاز برای پیاده سازی مدار درایو ، سبب دستیابی به سطح پالس مثبت و منفی قرینه و مستقل از ضریب وظیفه سیگنال کنترلی می گردد. نتایج حاصل از شبیه سازی به همراه نتایج عملی یک نمونه طراحی شده ارائه گردیده که مبین عملکرد رضایت بخش مدار درایو پیشنهادی می باشد.

  • لینک: http://www.4shared.com/file/7644992/72e932c9/Electronics_1611.html

  • مشاهده سایت

    این سایت از اکیسمت برای کاهش هرزنامه استفاده می کند. بیاموزید که چگونه اطلاعات دیدگاه های شما پردازش می‌شوند.